双极型数字集成门 TTL门电路 TTL门电路工作速度高,驱动能力强,是目前应 用最广泛的集成门电路。它的主要缺点是功耗大,集 成度低。 *射极耦合逻辑ECL电路 发射极耦合逻辑电路,也称电流开关型逻辑电路。 它是利用运放原理通过晶体管射极耦合实现的门电路。 工作速度最高,其平均延迟时间tpd可小至lns 这种门电路输出阻抗低,负载能力强,能实现或 非及或两种逻辑功能。它的主要缺点是抗干扰能力差, 电路功耗大 目录)( 退出
目录 < > 退出 双极型数字集成门 TTL门电路工作速度高，驱动能力强，是目前应 用最广泛的集成门电路。它的主要缺点是功耗大，集 成度低。 * 射极耦合逻辑ECL电路 发射极耦合逻辑电路，也称电流开关型逻辑电路。 它是利用运放原理通过晶体管射极耦合实现的门电路。 工作速度最高，其平均延迟时间tpd可小至1ns。 这种门电路输出阻抗低，负载能力强，能实现或 非及或两种逻辑功能。它的主要缺点是抗干扰能力差， 电路功耗大。 * TTL门电路
*注入逻辑Ⅲ电路 IL电路的主要特点是电路结构简单,功耗低 I的每个基片逻辑单元所占面积很小,工作电流 不超过1nA,因而其集成度可达500门/mm以上 (一般TTL电路集成度在20门/mm左右)。 LL电路的另一特点是可以在低电压下工作但抗 干扰能力差,开关速度低,一般tpd>10ns MOS集成门 MOS逻辑电路是以金属一氧化物一半导体场 效应管为基础的集成电路。因管内有一种载流子 运动,因而它属于单极型数字集成电路。目前广 泛应用的是CMOS电路,它有以下特点: 目录)( 退出
IIL电路的主要特点是电路结构简单，功耗低。 IIL的每个基片逻辑单元所占面积很小，工作电流 不超过1nA，因而其集成度可达500门/mm以上 （一般TTL电路集成度在 2 20门/mm左右）。 注入逻辑IIL电路 IIL电路的另一特点是可以在低电压下工作但抗 干扰能力差，开关速度低，一般tpd >10ns。 MOS集成门 MOS逻辑电路是以金属一氧化物一半导体场 效应管为基础的集成电路。因管内有一种载流子 运动，因而它属于单极型数字集成电路。目前广 泛应用的是CMOS电路，它有以下特点： 2 目录 < > 退出 *
1CMOS电路由NMOS和PMOS组成,由于MOS管导通内阻比半导 体导通内阻大,所以CMOS门比TL门工作速度低一些。 2.由于CMOS电路的互补特性,其高低电平输出阻抗都很低(同 NMOS和PMOS比)。CMOS电路的输入阻抗只取决于输入端保护 二极管的漏电流,其输入阻抗极高,可达109以上。在频率不太 高的情况下,CMOS电路的扇出能力几乎不受限制。当频率升高 时,扇出系数有所降低。 3.CMOS电路主要有两个产品系列-CC4000和C000(与国外CD和 MC系列相当)。它们的电源电压允许范围大,CC4000系列为 3~18V;C000系列为5~15V。因此它们输出高低电平摆幅大,抗干 扰能力强,其噪声容限可达30%VDD,而TIL门的噪声容限只有04V 4CMOS门工作时总是一管导通另一管截止,因而几乎不由电源吸 取电流,其功耗极小。当VDD=5V时,CMOS电路的静态功耗分别 是:门电路类为25~5uW;缓冲器和触发器类为5~20uW;中规模 集成电路类为25~100uW。 目录)( 退出
1.CMOS电路由NMOS和PMOS组成，由于MOS管导通内阻比半导 体导通内阻大，所以CMOS门比TTL门工作速度低一些。 2.由于CMOS电路的互补特性，其高低电平输出阻抗都很低（同 NMOS和PMOS比）。 CMOS电路的输入阻抗只取决于输入端保护 二极管的 漏电流，其输入阻抗极高，可达10 W以上。在频率不太 高的情况下， CMOS电路的扇出能力几乎不受限制。当频率升高 时，扇出系数有所降低。 8 3.CMOS电路主要有两个产品系列---CC4000和 C000（与国外CD和 MC系列相当）。它们的电源电压允许范围大，CC4000系列为 3~18V；C000系列为5~15V。因此它们输出高低电平摆幅大，抗干 扰能力强，其噪声容限可达30%VDD，而TTL门的噪声容限只有0.4V。 4.CMOS门工作时总是一管导通另一管截止，因而几乎不由电源吸 取电流，其功耗极小。当VDD=5V时，CMOS电路的静态功耗分别 是：门电路类为2.5~5uW；缓冲器和触发器类为5~20uW；中规模 集成电路类为25~100uW。 目录 < > 退出
5.CMOS集成电路功耗低,内部发热量小,集成度 可大大提高。又由于其电路本身的互补对称结构, 当环境温度变化时,其参数有互相补偿作用,因 而其温度稳定性好。 6.抗辐射能力强,MOS管是多数载流子受控导电 器件,射线辐射对多数载流子浓度影响不大。因 此CMOS电路特别适用于航天,卫星和核试验条 件下工作的装置。 7.由于CMOS电路输入阻抗高,容易受静电感应发 生击穿,除其电路内部设置保护电路外,在使用 和存放时应注意静电屏蔽,焊接时电烙铁应接地 良好。CMOS门多余不用输出端不能悬空,应根 据需要接电源或接地。 目录)( 退出
5.CMOS集成电路功耗低，内部发热量小，集成度 可大大提高。又由于其电路本身的互补对称结构， 当环境温度变化时，其参数有互相补偿作用，因 而其温度稳定性好。 6.抗辐射能力强，MOS管是多数载流子受控导电 器件，射线辐射对多数载流子浓度影响不大。因 此CMOS电路特别适用于航天，卫星和核试验条 件下工作的装置。 7.由于CMOS电路输入阻抗高，容易受静电感应发 生击穿，除其电路内部设置保护电路外，在使用 和存放时应注意静电屏蔽，焊接时电烙铁应接地 良好。CMOS门多余不用输出端不能悬空，应根 据需要接电源或接地。 目录 < > 退出