中国科学技术大学物理系微电子专业 即有: x≤X 1三n P 0 p=p 1=1 no p=pno X.<x≤x n ev(x) ev(x) n(x=npe k plr)=poe kt e s Od H,已e kT nO no- poe kT 2021/130 Semiconductor Physic
中国科学技术大学物理系微电子专业 Semiconductor Physics 2021/1/30 16 即有: 0 0 p p p x x n n p p = = 0 0 n n n x x n n p p = = 0 0 0 0 D D eV eV kT kT p n n p n n e p p e − − = = ( ) ( ) 0 0 ( ) ( ) p n eV x eV x kT kT p p x x x n x n e p x p e − − = = -
中国科学技术大学物理系微电子专业 户(x 户 图6-9平衡p-m结中的载流子分布 2021/130 Semiconductor Physic 17
中国科学技术大学物理系微电子专业 Semiconductor Physics 2021/1/30 17
中国科学技术大学物理系微电子专业 热平衡PN结载流子浓度分布的基本特点 ◆同一种载流子在势垒区两边的浓度大 小符合玻尔兹曼关系 ◆处处都有p=n ◆势垒区是高阻区(常称作耗尽区或耗尽 层、空间电荷区) 2021/130 Semi conductor Physics
中国科学技术大学物理系微电子专业 Semiconductor Physics 2021/1/30 18 ◼ 热平衡PN结载流子浓度分布的基本特点: ♦ 同一种载流子在势垒区两边的浓度大 小符合玻尔兹曼关系 ♦ 处处都有n•p=ni 2 ♦ 势垒区是高阻区(常称作耗尽区或耗尽 层、空间电荷区)
少A纽以1 §2ⅨN结的电流电压特性 (1)dE/dx与电流密度的关系 (2)正向偏压下的PN结 (3)反向偏压下的PN结 (4)理想PN结伏安特性 (5)PN结击穿特性 2021/130 Semiconductor Physic
中国科学技术大学物理系微电子专业 Semiconductor Physics 2021/1/30 19 §2 PN结的电流电压特性 (1) dEF/dx与电流密度的关系 (2) 正向偏压下的PN结 (3) 反向偏压下的PN结 (4) 理想PN结伏安特性 (5) PN结击穿特性
中国科学技术大学物理系微电子专业 ★dER/dx与电流密度的关系 E随位置的变化与电流密度的关系 热平衡时,处处相等,PN结无电流通过 (动态平衡) ■当PN结有电流通过,E就不再处处相等 且,电流越大,E随位置的变化越快 F dEF dx 2021/130 Semiconductor Physic
中国科学技术大学物理系微电子专业 Semiconductor Physics 2021/1/30 20 ★ dEF/dx与电流密度的关系 EF随位置的变化与电流密度的关系 ◼ 热平衡时, EF处处相等, PN结无电流通过 (动态平衡). ◼ 当PN结有电流通过, EF就不再处处相等. 且,电流越大, EF随位置的变化越快. = = F F dE dE J n J p dx dx − − + +