(3)多次改写可编程的只读存储器 ·这类ROM有三种 ① EPROM( Erasable Programmable Rom,可 擦编程只读存储器): EPROM芯片上有一个透 明窗口,紫外擦除,编程器写入,适于科研。 其外观如图42所示 图42 EPROM芯片
(3) 多次改写可编程的只读存储器 • 这类ROM有三种。 • ① EPROM（Erasable Programmable ROM，可 擦编程只读存储器）：EPROM芯片上有一个透 明窗口，紫外擦除，编程器写入，适于科研。 • 其外观如图4-2所示。 图4-2 EPROM芯片
2 EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM,电可擦除可编程只读存储器):主板BIOS EEPROM的容量一般为512Kbt~1Mbit,12V高电压 擦写,跳线保护写入引脚。其外观如图4-3所示 图4-3 EEPROM芯片
• ② EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦除可编程只读存储器）：主板BIOS EEPROM的容量一般为512Kbit～1Mbit，12V高电压 擦写，跳线保护写入引脚。其外观如图4-3所示。 图4-3 EEPROM芯片
③ Flash memory(闪速存储器):主板上BIOS、 USB优盘上的 Flash memory芯片,不改变写入电 压,可实现在线编程。 如图4-4所示。 Pedras 图44 Flash memory芯片
• ③ Flash Memory（闪速存储器）：主板上BIOS、 USB优盘上的Flash Memory芯片，不改变写入电 压，可实现在线编程。 • 如图4-4所示。 图4-4 Flash Memory芯片
2 RAM ·根据其制造原理不同,它分为SRAM静态随机存储 器和DRAM动态随机存储器两种,现在的RAM多为 MOS型半导体电路 (1)SRAM( Static ram,静态随机存储器)双稳电路, 速度快、成本高、容量小,适合做高速 Cache (2)DRAM( DynamIc RAM,动态随机存储器)晶体 管+电容,需刷新(充电)保持信息。速度稍慢,集成 度高,成本低适合做主存
2. RAM • 根据其制造原理不同，它分为SRAM静态随机存储 器和DRAM动态随机存储器两种，现在的RAM多为 MOS型半导体电路 。 (1) SRAM（Static RAM，静态随机存储器）双稳电路， 速度快、成本高、容量小，适合做高速Cache 。 (2) DRAM（Dynamic RAM，动态随机存储器）晶体 管+电容，需刷新(充电)保持信息。速度稍慢，集成 度高，成本低适合做主存
六管静态RAM基本存储电路单元 X地址译 码线} V(+5V) TI T2 B T6 T3 T4 (I/O) 接Y地址译码器(I/0)
六管静态RAM基本存储电路单元 X 地址译 码线 D0 DO (I/O) 接 Y 地址译码器 (I/O) T6 T5 VCC （+5V） A B T1 T2 T3 T4 T7 T8 • • • • • • • •