第三章纂成门电路与触发景 1.开通时间(t) 开通时间:三极管从截止状态到饱和状态所需要的时间 时间tn=延迟时间ta+上升时间t 2.关闭时间(tr) 关闭时间:三极管从饱和状态到截止状态所需要的时间。 关闭时间tm=存储时间t+下降时间t 开通时间tn和关闭时间t。是影响电路工作速度的主要因素
第三章 集成门电路与触发器 1．开通时间（ton ） 开通时间：三极管从截止状态到饱和状态所需要的时间。 时间ton =延迟时间td +上升时间tr 2. 关闭时间 （ toff ） 关闭时间：三极管从饱和状态到截止状态所需要的时间。 关闭时间toff =存储时间ts +下降时间tf 开通时间ton和关闭时间toff是影响电路工作速度的主要因素
第三章纂成门电路与触发景 323MOs管的开关特性 、静态特性 MOS管作为开关元件,同样是工作在截止或导通两种状 态。MOS管是电压控制元件,主要由栅源电压vcs决定其工 作状态。 工作特性如下: 当Vcs<开启电压V时:MOS管工作在截止区,输出 电压vs≈VD,MOS管处于“断开”状态; 当Vm2aVn时:Mos管工作在导通区,输出电压 vDs≈0V,MOS管处于“接通”状态
第三章 集成门电路与触发器 3.2.3 MOS管的开关特性 一、静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状 态。MOS管是电压控制元件，主要由栅源电压vGS决定其工 作状态。 当VGS＜开启电压VTN时：MOS管工作在截止区，输出 电压vDS ≈VDD，MOS管处于“断开”状态; 当VDS≥VGS－VTN时：MOS管工作在导通区，输出电压 vDS≈ 0V，MOS管处于“接通”状态
第三章纂成门电路与触发景 动态特性 MOS管本身导通和截止时电荷积累和消散的时间 很小。 动态特性主要取决于电路中杂散电容充、放电所需 的时间
第三章 集成门电路与触发器 二、动态特性 MOS管本身导通和截止时电荷积累和消散的时间 很小。 动态特性主要取决于电路中杂散电容充、放电所需 的时间
第三章纂成门电路与触发景 为了提高MOS器件的工作速度,引入了CMOS电路。 在CMOS电路中,由于充电电路和放电电路都是低阻电 路,因此,其充、放电过程都比较快,从而使CMOS电路有 较高的开关速度
第三章 集成门电路与触发器 为了提高MOS器件的工作速度，引入了CMOS电路。 在CMOS电路中，由于充电电路和放电电路都是低阻电 路，因此，其充、放电过程都比较快，从而使CMOS电路有 较高的开关速度
第三章纂成门电路与触发景 3.3逻辑门电路 实现基本逻辑运算和常用复合逻辑运算的逻辑器件统称 为逻辑门电路,它们是组成数字系统的基本单元电路。 学习时应重点掌握集成逻辑门电路的功能和外部特性, 以及器件的使用方法。对其内部结构和工作原理只要求作 般了解
第三章 集成门电路与触发器 3.3 逻 辑 门 电 路 实现基本逻辑运算和常用复合逻辑运算的逻辑器件统称 为逻辑门电路，它们是组成数字系统的基本单元电路。 学习时应重点掌握集成逻辑门电路的功能和外部特性， 以及器件的使用方法。对其内部结构和工作原理只要求作一 般了解