每)天半紫大学 IIANJIN POLYTECHNIC UNIVERSITY X行选线 Vec T3 T 数据位存储 Q 单元电路部分 y;列选线 R万:读出控制信号线 数据读、写 D,:数据读写线 控制部分 己E:片选信号线 D SRAM数据位基本存储电路图 信息与通信工程学院
SRAM数据位基本存储电路图
每)天半紫大学 IIANJIN POLYTECHNIC UNIVERSITY 行译码电路 数据线Di数 Y列译码电路 RD cE 读写控制 16×16阵列存储器内部结构方框图 信息与通信工程学院
16×16阵列存储器内部结构方框图
每)天半紫大学 IIANJIN POLYTECHNIC UNIVERSITY 16X16 16×16×8组成256字节RAM方框图 信息与通信工程学院
16×16×8组成256字节RAM方框图
每)天半紫大学 IIANJIN POLYTECHNIC UNIVERSITY 16×16存储阵列需要八根地址信号线(A7~A0), 称为片内地址线,不同容量的存储器所需要的片内 地址线根数不同。 存储器的容量=2N,其中N为所需片内地址线的 根数。 IKB,片内地址线10根(A~A0) 2KB,片内地址线1根(A10~A0) 4KB,片内地址线12根(A1A0) 8KB,片内地址线13根(A12~A0) 信息与通信工程学院
存储器的容量＝2Ｎ , 其中Ｎ为所需片内地址线的 根数。 1KB，片内地址线10根（A9 ～A0） 2KB，片内地址线11根（A10 ～A0） 4KB，片内地址线12根（A11 ～A0） 8KB，片内地址线13根（A12 ～A0） 16×16存储阵列需要八根地址信号线（A7～A0）， 称为片内地址线，不同容量的存储器所需要的片内 地址线根数不同